Intel Optane 100S 128 GB
Intel Optane 100S 128 GB — это модуль постоянной памяти (Persistent Memory, DCPMM), а не оперативная DDR4. Он физически вставляется в стандартный 288-контактный слот DDR4, но работает по специальному протоколу DDR-T и построен на 3D-XPoint (три-экс-пойнт) — фазово-изменяющей памяти Intel/Micron.
Технология изготовления
| Параметр | Описание |
|---|---|
| Носитель информации | 3D-XPoint (Intel называет её Optane Media) — массив фазово-изменяющих ячеек (PCM, phase-change memory), расположенных между двумя сетками селекторов и слов/бит-линий. |
| Топология | 3D-стек (2-4 уровней памяти) + CMOS-селекторы под каждым столбцом; логика контроллера — 14 нм FinFET. |
| Ячейка | Овоническая (GST) — сплав Ge-Sb-Te; сопротивление высокое (аморфное) = «0», низкое (кристаллическое) = «1»; переключение ~50 нс. |
| Контроллер | ASIC Intel Optane Memory Controller (внутри модуля), реализующий протокол DDR-T, ECC, SDDC, DDDC, AES-256-XTS шифрование. |
| Интерфейс к CPU | DDR4 2666 MT/s, 1,2 В, но не DRAM: шина используется как физический носитель для DDR-T (время доступа ~170–320 нс против 50–80 нс у DRAM). |
Почему не DRAM и не NAND
- Быстрее NAND: 10× меньше задержки, байтовая адресация.
- Плотнее DRAM: 128 ГБ в один DIMM без «убийственной» цены.
- Сохраняет данные при отключении питания (endurance 292 ПБ записи).
- Не требует транзистора и конденсатора на каждую бит-ячейку, как DRAM.
Где применяется
- Серверные платы с 2-ым поколением Intel Xeon Scalable (Cascade Lake-SP) в режимах Memory Mode (как медленная ОЗУ) или App Direct Mode (как постоянное байтовое устройство).
- In-memory СУБД (SAP HANA, Redis, Aerospike), аналитика, виртуализация.
Итого: Intel Optane 100S 128 GB DDR4 — это 3D-XPoint-память, упакованная в DIMM-формат; она не DRAM и не NAND, а промежуточный уровень между ними, обеспечивающий высокую ёмкость и стойкость данных при сохранении байтового доступа и низкой задержки.